PN结是晶体三极管的基础组成部分，由P型半导体和N型半导体接触形成。它的基本特性主要表现为：具有单向导电性。在外部施加电压的作用下，PN结的正向电阻较小，反向电阻较大。当外部有正向电压偏置时，PN结会有较大的扩散运动，形成较大的扩散电流，表现出正向导通特性。当外部有反向电压偏置时，PN结的扩散运动变得很小，几乎没有扩散运动产生，表现出高阻状态，也就是截止状态。同时，PN结还具有很强的热稳定性，高温情况下变化很小。除此之外，它的电容效应也是其基本特性之一。简而言之，PN结具有单向导电性、高反向阻拦能力和较强的热稳定性等特点。更多有关PN结的详细介绍和建议，可以咨询物理专业人士获取更专业的解读。

什么是PN结它有什么特性

PN结是晶体三极管中的一个关键部分，它主要由P型半导体和N型半导体接触形成。在两种半导体接触时，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子相互吸引，从而在接触面形成一定的空间电荷区域，形成一个内建电场，这就是PN结的核心结构。

PN结主要具有以下特性：

1. 单向导电性：PN结具有单向导电性，即在外加正向电压时，电流可以从P型流向N型；而在外加反向电压时，电流被阻止。这种特性使得PN结在电子器件中起到重要的作用。

2. 势垒特性：当PN结处于平衡状态时，其接触面附近存在空间电荷层，形成一个势垒。这个势垒可以阻止多数载流子的扩散运动，使得PN结具有电容效应和电阻效应。

3. 击穿特性：当施加反向电压逐渐增加时，PN结的耗尽层会变宽，使得结电容减小。当反向电压达到一定程度时，耗尽层中的电场强度达到最大，此时会发生击穿现象。击穿可以是齐纳击穿或雪崩击穿，这两种击穿类型决定了PN结的击穿电压和漏电流特性。

PN结在电子设备中广泛应用，例如在晶体二极管、三极管和太阳能电池等器件中都存在PN结。它的特性为这些器件提供了重要的工作基础。